●隨著平面型閃存存儲器的發展，半導體的生產工藝獲得了巨大的進步。但是近年來，平面型閃存存儲器遭遇了如何突破存儲電子密度極限等挑戰。在此背景下，為解決平面閃存存儲器遇到的困難以及追求更低的單位存儲單元的生產成本，各種不同的三維閃存存儲器結構應運而生。其中，3D NAND因其小體積、大容量，并且通過增加立體硅層的辦法，既可以提高單位面積存儲密度，又能改善存儲單元性能等優點，己經成為新興存儲器設計和生產的主流工藝。為此，不少企業就該工藝提交專利申請，開展專利布局。

　　●在2019年專利復審無效十大案件中，一起涉及3D NAND閃存結構制作工藝的專利復審案件引發了業界廣泛關注。

　　專利申請遭駁回

　　長江存儲公司成立于2016年7月，是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案，其供應的3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

　　2017年8月，長江存儲公司向國家知識產權局提交了一件名為“一種改善接觸孔插塞氧化物凹陷的工藝方法”的發明專利申請（專利申請號：CN201710733227.0）。針對該申請，國家知識產權局實質審查部門（下稱實質審查部門）于2019年2月作出駁回決定，認為在權利要求1與對比文件1具有的多個區別技術特征之中，部分區別技術特征是本領域的公知常識，其余區別技術特征是在對比文件2給出的技術啟示下結合本領域的常用技術手段容易想到的。因此，權利要求1相對于對比文件1、對比文件2以及公知常識的結合不具備創造性。據介紹，對比文件1公開了一種半導體器件的制作方法，對比文件2公開了一種淺溝槽隔離結構的制造方法。

　　長江存儲公司對上述駁回決定不服，于2019年4月向國家知識產權局提出了復審請求。

　　認定具備創造性

　　國家知識產權局成立合議組對該案進行審理。合議組認為，相對于駁回決定中引用的對比文件1、對比文件2以及本領域的公知常識，涉案專利申請的權利要求1具有突出的實質性特點和顯著的進步，因而具有創造性，符合專利法第二十二條第三款的規定。

　　該案合議組在接受本報記者采訪時表示：“該案審理的焦點在于，孤立地來看涉案專利申請與對比文件1的區別，可能屬于半導體領域的常用工藝手段，但對比文件1的發明目的與涉案專利申請不同，本領域技術人員是否具有改進動機成為涉案專利創造性判斷的關鍵，具體到本案，對比文件1不具有改進的動機。對比文件2雖然公開了與上述區別類似的工藝手段，但該工藝手段在對比文件2中起到的作用與其在本申請中的作用不同，對比文件2沒有給出相應的技術啟示。因此，本領域技術人員在對比文件1、對比文件2公開內容的基礎上，不能顯而易見地得到本申請權利要求所請求保護的技術方案。”

　　綜上，國家知識產權局于2019年8月作出第185132號審查決定，宣告撤銷駁回決定，要求實質審查部門以該復審請求審查決定所針對的文本為基礎繼續進行審查。2019年9月30日，實質審查部門向長江存儲公司發出授予發明專利權的通知書。

　　具有啟示意義

　　該案的審理決定一經作出，就引發了社會的廣泛關注。業內人士表示，該案對半導體行業專利布局具有啟示意義，同時給出了在涉及半導體制造工藝類申請的創造性審查過程中，應當基于最接近的現有技術來判斷是否能夠產生改進動機，對于其他現有技術是否給出了技術啟示的考量，如果區別特征在該其他現有技術中所起的作用與區別特征在發明解決技術問題的過程中所起的作用完全不同，則該其他現有技術難以給出將區別特征應用到最接近的現有技術以解決其存在的技術問題的啟示。

　　此外，該案對國內半導體芯片企業突破國外巨頭專利壁壘也有指導意義。記者在采訪中了解到，如今半導體芯片市場中，一家企業很難擁有某一產品的全部技術，通常是多個具有競爭關系的企業形成相互纏繞的局面，這些企業通過掌握的專利技術相互制約和搶占市場份額。如今的半導體芯片市場中，核心專利大多已掌握在少數發達國家的企業手上，例如3D NAND存儲技術主要掌握在美光、三星和SK海力士等跨國芯片制造廠商手中。這些跨國企業通常會以基礎專利為核心，對相關的**技術布局專利，形成專利壁壘。而如何突破國外企業的專利壁壘，是目前國內芯片制造企業與這些跨國巨頭進行競爭的焦點之一，這就要求國內芯片制造企業具有更強更有效的專利布局戰略。

　　“面對跨國巨頭們的專利壁壘，‘農村包圍城市’式的專利布局戰略也許會發揮獨特的作用。”上海光華專利事務所（普通合伙）專利代理師羅泳文在接受本報記者采訪時表示，針對跨國巨頭所掌握的基礎專利，企業在進行技術研發時可對其進行改進。

　　“長江存儲公司提交的上述發明專利申請就屬于改進型專利。”羅泳文介紹，提交改進型專利申請不會涉及侵權風險，只有生產制造和銷售時，才會產生侵權行為。這種改進型專利一方面可以提高產品制造的效率及性能，提高產品的市場競爭力；另一方面，被授權也證明該技術屬于領域中的一個技術空白點，企業可以尋找更多的技術空白點，并在這些空白技術點上布局一定數量的專利，形成專利圈，對基礎專利進行包圍，減弱基礎專利的威脅甚至使其失去作用。如此一來，一方面可以促使對方進行交叉許可，企業可獲得其基礎專利的使用權；另一方面，通過不斷創新，完成專利戰略布局，還能逐步建立自身的專利技術體系。

　　案件亮點

　　該案的復審決定表明，在涉及半導體制造工藝類申請的創造性評判中，需要重點考慮涉及爭議焦點的工藝細節在整體制造工藝中實際解決的技術問題和達到的技術效果，同時還需考慮以下方面的因素：現有技術存在的缺陷是否是本領域的普遍認知，現有技術中存在的類似手段是否是為解決這一缺陷而提出的等等。

　　首先，涉案專利申請涉及半導體芯片制造工藝，其工藝路線及手段發展相對成熟，其中如何發現導致產品性能不佳的工藝細節，是半導體芯片制造業中對于制造工藝改進的重點和難點。在現有技術中即使發現了產品存在性能不佳的情況，但未必能意識到導致性能下降的工藝細節存在的缺陷，例如對比文件1中由于沒有限定具體的沉積工藝，該工藝細節也不屬于本領域技術人員能夠意識到的普遍存在的常識性的技術問題，因而對比文件1不存在改進相應技術問題的需求。

　　其次，在考慮其他現有技術是否給出了結合啟示的判斷中，不僅要考慮區別特征所涉及的技術手段本身是否已被現有技術公開，還要考慮該技術手段在該現有技術的整體技術方案中所起到的作用、解決的技術問題和獲得的技術效果與其在涉案申請中所起到的作用、解決的技術問題和獲得的技術效果是否相同，從而綜合判斷是否給出了技術啟示。例如，對比文件2雖然公開了與涉案專利申請相同的技術手段，但其在對比文件2中所起的作用與其在涉案申請中所起的作用不同，所解決的技術問題和獲得的技術效果也不同，因此對比文件2沒有給出解決涉案專利申請相關技術問題的技術啟示。

　　最后，半導體芯片制造行業在我國國民經濟發展中具有舉足輕重的重要地位。近年來，半導體芯片制造領域創新活躍，技術發展迅速，相關專利申請多涉及制造工藝細節，其對產品的性能、成本、成品率等有重要影響。從創新角度講，涉及半導體制造技術的相關專利能夠獲得保護，可以鼓勵半導體芯片制造業的技術人員更多地發掘已相對成熟的制造工藝中的技術缺陷并加以改進，對我國半導體產業創新發展具有重要意義。

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